PMPB215ENEAX, Power MOSFET, N Channel, 80 V, 1.9 A, 0.175 ohm, SOT-1220, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8685710519
- Артикул
- PMPB215ENEAX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 2.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.03
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 260 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
80 В, одинарный N-канальный траншейный MOSFET, полевой транзистор (FET) с N-канальным режимом усиления в пластиковом корпусе для устройства поверxностного монтажа (SMD) средней мощности DFN2020MD-6 (SOT1220) с использованием теxнологии Trench MOSFET.
Технические параметры
| Width | 2.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.03 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN2020 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 15.6 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 445 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.8 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 15.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.175 Ом |