Моя заявка (0)

PMPB20XPEAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А; 1,7Вт

PMPB20XPEAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -30А; 1,7Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073010663
Артикул
PMPB20XPEAX
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
Brand:
Nexperia
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±12V
Цена по запросу
(от 43,39 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильные МОП-транзисторы с малым сигналом Автомобильные МОП-транзисторы Nexperia с малым сигналом обеспечивают высокую надежность работы и полное соответствие стандарту AEC-Q101. Nexperia предлагает широкий ассортимент малосигнальныx МОП-транзисторов с сопротивлением стока-истока в рабочем состоянии до 15 Мом, максимальным током стока до 6 А и вариантами напряжения стока-истока от 20 В до 100 В. Для обеспечения гибкости конструкции эти устройства предлагаются в широком ассортименте корпусов со свинцовым и бессвинцовым выводом DFN (Dual Flat No-Lead).

Технические параметры

GradeAutomotive
Brand:Nexperia
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±12V
Fall Time:50 ns
Rise Time:60 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.03
Technology:Si
Channel TypeP Channel
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Package/Case:DFN-2020-6
Product Type:MOSFET
QualificationAEC-Q101
Configuration:Single
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934070927115
Power Dissipation12.5Вт
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:45 nC
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.5mOhm @ 7.2A, 4.5V
Pd - Power Dissipation:12.5 W
Power Dissipation (Max)1.7W(Ta), 12.5W(Tc)
Supplier Device PackageDFN2020MD-6
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage:-12 V, +12 V
Typical Turn-On Delay Time:13 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45 nC @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time:92 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Id - Continuous Drain Current:10.3 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:50 S
Drain Source On State Resistance0.019Ом
Rds On - Drain-Source Resistance:23.5 mOhms
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2945 pF @ 10 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A(Ta)
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Непрерывный Ток Стока7.2А
Рассеиваемая Мощность12.5Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs700мВ
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-1220
Максимальная Рабочая Температура150°C
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.019Ом

Техническая документация