Моя заявка (0)

PMPB15XPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -33А

PMPB15XPAX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -5,2А; Idm: -33А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015743973
Артикул
PMPB15XPAX
Бренд
Nexperia B.V.
Grade
Automotive
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±12V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 41,05 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 12V N-CHANNEL TRENCHMOS

Технические параметры

GradeAutomotive
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.03
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада57 ns
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1.7W(Ta), 12.5W(Tc)
Supplier Device PackageDFN2020MD-6
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN-2020-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 4.5 V
Канальный режимEnhancement
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Qg - заряд затвора100 nC
Время нарастания90 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2875 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A(Ta)
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности12.5 W
Другие названия товара №934070926115
Id - непрерывный ток утечки8.2 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток12 V, + 12 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток20 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Пороговое напряжение на затворе3…5
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения85 ns
Типичное время задержки при включении18 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.2
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.40 S
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.042 Ом/21А, 10В

Техническая документация