Моя заявка (0)
PMPB15XP,115, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8024654231
Артикул
PMPB15XP,115
Бренд
Nexperia B.V.
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±12V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 29,81 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 12 В 8,2 А (Ta), 1,7 Вт (Ta), 12,5 Вт (Tc) для поверxностного монтажа DFN2020MD-6

Технические параметры

FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±12V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
СтруктураMOSFET
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)1.7W;12.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs19mOhm @ 8.2A, 4.5V
Особенности-
Power Dissipation (Max)1.7W(Ta), 12.5W(Tc)
Supplier Device PackageDFN2020MD-6
Total Gate Charge (Qg@Vgs)100nC@4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.875nF@6V
Continuous Drain Current (Id)8.2A
Drain to Source Voltage (Vdss)12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2875 pF @ 6 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.2A(Ta)
Пороговое напряжение на затворе900mV@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)19mΩ@4.5V, 8.2A

Техническая документация