Моя заявка (0)

PMPB14XNX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 5,1А; Idm: 33А

PMPB14XNX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 40В; 5,1А; Idm: 33А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066351262
Артикул
PMPB14XNX
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.08
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
1.9Вт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 60,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор PMPB14XNX

Технические параметры

Вес, г0.08
Channel TypeN Channel
Power Dissipation1.9Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN2020MD-6
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора19.4 nC
Время нарастания8 ns
кол-во в упаковке24
Drain Source On State Resistance0.015Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов6вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока8.1А
Рассеиваемая Мощность1.9Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs650мВ
Pd - рассеивание мощности1.9 W
Другие названия товара №934660519115
Id - непрерывный ток утечки11.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораDFN2020MD
Vgs - напряжение затвор-исток8 V, + 8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток18 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения35 ns
Типичное время задержки при включении5 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.015Ом
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.22 S

Техническая документация