PMPB11EN,115, Trans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007285880
- Артикул
- PMPB11EN,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 2.1mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 58 ₽)
Минимальный заказ: 1181 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MOSFET-транзистор, напряжение до 30 В MOSFET-транзисторы, Nexperia
Технические параметры
| Width | 2.1mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DFN2020 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 12.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 13.7 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 14.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 9 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |