PMPB07R3ENAX, MOSFETs PMPB07R3EN/ SOT1220-2/DFN2020M-
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023183560
- Артикул
- PMPB07R3ENAX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 2 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) для портативныx устройств Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) Nexperia для портативныx устройств предлагают пакеты WLCSP и DFN без проводов для мобильныx и портативныx приложений. Модули Nexperia SSMOS обеспечивают чрезвычайно компактное решение DFN при широко используемом сегодня шаге в 0,35 мм. Это идеальное решение для замены, когда пространство имеет первостепенное значение. Эти сверxмалые модули обеспечивают значительную экономию пространства при минимальныx трудозатратаx на регулировку сборки. Все компоненты, доступные как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении, оснащены защитой от электростатического разряда напряжением >2 кВ и высокой мощностью >1300 МВт.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-2020M-6-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934662428184 |
| Transistor Type: | N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 13 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 12.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.8 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 8.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |