PMP5201V,115, Bipolar Transistors - BJT PMP5201V/SOT666/SOT6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006207718
- Артикул
- PMP5201V,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 1.7 mm
- Высота
- 0.6 mm
- Ширина
- 1.3 mm
Цена по запросу
(от 48,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Биполярные транзисторы - BJT MATCHED PAIR TRANS
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 1.7 mm |
| Высота | 0.6 mm |
| Ширина | 1.3 mm |
| Power Dissipation NPN | - |
| Power Dissipation PNP | 200мВт |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transition Frequency NPN | - |
| Transition Frequency PNP | 175МГц |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | Dual |
| Подкатегория | Transistors |
| DC Current Gain hFE Min NPN | - |
| DC Current Gain hFE Min PNP | 290hFE |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SSmini-6 |
| DC Ток Коллектора | -100мА |
| Continuous Collector Current NPN | - |
| Continuous Collector Current PNP | 100мА |
| DC Усиление Тока hFE | 290hFE |
| Collector Emitter Voltage Max NPN | - |
| Collector Emitter Voltage Max PNP | 45В |
| Линейка Продукции | - |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Рассеиваемая Мощность | 200мВт |
| Полярность транзистора | PNP |
| Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
| Другие названия товара № | PMP5201V T/R |
| Размер фабричной упаковки | 4000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-666 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 45В |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 200 at 2 mA at 5 V |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 at 2 mA at 5 V |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 175 MHz |