Моя заявка (0)
PMN55ENEAX, MOSFETs SOT457 N-CH 60V 3.6A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048190684
Артикул
PMN55ENEAX
Бренд
Nexperia B.V.
Type
null
Grade
Automotive
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±20V
Цена по запросу
(от 23 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60 В 3,6 А 60mOhm@3.6A,10 В 2.7V@250uA нулевые МОП-транзисторы SOT-457 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

Typenull
GradeAutomotive
FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±20V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г1
Mounting TypeSurface Mount
QualificationAEC-Q101
Package / CaseSC-74, SOT-457
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 175°C(TJ)
Power Dissipation (Pd)667mW;7.5W
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3.6A, 10V
Особенности-
Power Dissipation (Max)667mW(Ta), 7.5W(Tc)
Supplier Device Package6-TSOP
Total Gate Charge (Qg@Vgs)13.2nC@10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)450pF@30V
Continuous Drain Current (Id)3.6A
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds450 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A(Ta)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Пороговое напряжение на затворе950mV@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт7.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация