Моя заявка (0)

PMN50EPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -19А

PMN50EPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -2,9А; Idm: -19А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015743971
Артикул
PMN50EPEX
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.03
Channel Type
P Channel
Power Dissipation
560мВт
Структура
N-Channel
Цена по запросу
(от 82 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовой МОП-транзистор, P-канал, 30 В, 6 А, 0,035 Ом, SOT-457, для поверxностного монтажа

Технические параметры

Вес, г0.03
Channel TypeP Channel
Power Dissipation560мВт
СтруктураN-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.035Ом
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность560мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-457
Пороговое напряжение на затворе3…5
Максимальная Рабочая Температура150 C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.035Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2.9
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация