PMN30XPX, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8072707458
- Артикул
- PMN30XPX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 27,98 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | TSOP-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934070095115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 550mW;6.25W |
| Pd - Power Dissipation: | 1.4 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.575nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 5.2A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 34 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |