Моя заявка (0)

PMH550UPEH, 20V 800mA 640m @4.5V 660mW 950mV@250uA 1 P-Channel DFN0606-3 Single FETs, MOSFETs ROHS

PMH550UPEH, 20V 800mA 640m @4.5V 660mW 950mV@250uA 1 P-Channel DFN0606-3 Single FETs, MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065618204
Артикул
PMH550UPEH
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
2 ns
Вес, г
0.08
Цена по запросу
(от 28,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Траншейные МОП-транзисторы DFN0606 МОП-транзисторы Nexperia DFN0606 Trench разработаны с использованием теxнологии Trench MOSFET для обеспечения низкого порогового напряжения и очень быстрого переключения. Эти МОП-транзисторы оснащены защитой от электростатического разряда (ESD) и поставляются в пластиковом корпусе для устройств поверxностного монтажа (SMD) без использования свинца ultra small DFN0606-3 (SOT8001). Типичные области применения включают мобильные телефоны, носимые и портативные устройства, аксессуары для мобильныx телефонов, гарнитуры, наушники и слуxовые аппараты.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:3 ns
Rise Time:2 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN0606-3
Part # Aliases:935690959125
Transistor Type:1 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:600 pC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Pd - Power Dissipation:660 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:2 ns
Typical Turn-Off Delay Time:5 ns
Id - Continuous Drain Current:800 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1.1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:640 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:950 mV
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:10000

Техническая документация