PMF170XP,115, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -700мА, 360мВт, SOT323
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650342
- Артикул
- PMF170XP,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Type
- 1PCSPChannel
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.35mm
Цена по запросу
(от 17,87 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P CH, -20 В, -1 А, SOT323; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -1 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,175 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs:-900 мВ
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 1PCSPChannel |
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.35mm |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.01 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-323 |
| Корпус | SOT323 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 290 mW |
| Power Dissipation (Pd) | 290mW;1.67W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.67 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.6 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 3.9nC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 280pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1A |
| Id - Continuous Drain Current | -1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Forward Transconductance - Min | 1.9 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.15V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.65V |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 200 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.15V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 200mΩ@4.5V, 1A |