Моя заявка (0)
P-Channel MOSFET, 1 A, 20 V, 3-Pin SOT-323 PMF170XP,115

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014469248
Артикул
PMF170XP,115
Бренд
Nexperia B.V.
RoHS
Details
Type
1PCSPChannel
Brand
Nexperia
Width
1.35mm
Цена по запросу
(от 13 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P CH, -20 В, -1 А, SOT323; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -1 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,175 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs:-900 мВ

Технические параметры

RoHSDetails
Type1PCSPChannel
BrandNexperia
Width1.35mm
ProductMOSFET Small Signal
PackagingReel
Pin Count3
TechnologySi
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerNexperia
Package TypeSOT-323
Корпусsot-323
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-323-3
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge3.9 nC
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation290 mW
Power Dissipation (Pd)290mW;1.67W
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.67 W
Typical Gate Charge @ Vgs2.6 nC @ 4.5 V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)3.9nC@4.5V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)280pF@10V
Maximum Drain Source Voltage20 V
Continuous Drain Current (Id)1A
Id - Continuous Drain Current-1 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Forward Transconductance - Min1.9 S
Maximum Gate Threshold Voltage1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage0.65V
Maximum Drain Source Resistance200 mΩ
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current1 A
Rds On - Drain-Source Resistance200 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage-20 V
Пороговое напряжение на затворе1.15V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)200mΩ@4.5V, 1A

Техническая документация