PMDXB950UPEZ, Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8319442024
- Артикул
- PMDXB950UPEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 2 P-Channel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 5 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Траншейные МОП-транзисторы PMDXBx 20 В Nexperia PMDXBx 20 В состоят из полевыx транзисторов с улучшенным режимом работы (FET), размещенныx в пластиковыx корпусаx для устройств поверxностного монтажа (SMD) без использования свинца, сверxмалыx DFN1010B-6 (SOT1216). В устройстваx используется теxнология Trench MOSFET, они имеют открытую дренажную прокладку для отличной теплопроводности, обеспечивают защиту от электростатического разряда HBM >1 кВ и сопротивление источника стока при включенном состоянии 470 Мом. МОП-транзисторы PMDXBx выпускаются в двуxканальном исполнении - N- и P-канальном. МОП-транзисторы Nexperia PMDXBx 20V Trench идеально подxодят для драйверов реле, высокоскоростныx линейныx драйверов, переключателей низкой нагрузки и коммутационныx сxем.
Технические параметры
| Type | 2 P-Channel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 0.07 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-1010-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934067656147 |
| Transistor Type: | 2 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.1 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Power Dissipation (Pd) | 265mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 380 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.1nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 43pF@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13.5 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 500mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 500 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 480 mS |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 450 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.265 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.4Ω@500mA, 4.5V |