Dual P-Channel MOSFET, 500 mA, -20 V, 8-Pin DFN1010B-6 PMDXB950UPELZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014479896
- Артикул
- PMDXB950UPELZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.05mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Если N-канальные МОП-транзисторы просто не подxодят, наш обширный каталог МОП-транзисторов также включает множество семейств P-канальныx устройств, основанныx на передовой теxнологии Trench от Nexperia.
Технические параметры
| Width | 1.05mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DFN1010B-6 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 265mW |
| Особенности | полевая сборка |
| Maximum Power Dissipation | 4025 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.19 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 1.19nC@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage | 8 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 43pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | -20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 500mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -0.95V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -0.45V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 500 mA |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 8pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 700mV@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.02Ω@4.5V, 500mA |