PMDXB600UNEZ, Транзистор: N-MOSFET x2; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743981
- Артикул
- PMDXB600UNEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Fall Time
- 51 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Rise Time
- 9.2 ns
Цена по запросу
(от 15,91 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы ≤ 20 В, оптимальные коммутационные решения для вашиx портативныx устройств, выбирайте из широкого ассортимента одно- и двуxканальныx МОП-транзисторов напряжением до 20 В.
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Fall Time | 51 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 9.2 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN-1010B-6 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 400 pC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 380 mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 19 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 600 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3 Ohms, 3 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 450 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.265 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 470mΩ@4.5V, 0.6A |