Моя заявка (0)

PMDXB600UNELZ, 600mA 265mW 470m @4.5V 450mV 2 N-Channel DFN1010B-6 FET, MOSFET Arrays RoHS

PMDXB600UNELZ, 600mA 265mW 470m @4.5V 450mV 2 N-Channel DFN1010B-6 FET, MOSFET Arrays RoHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8061660842
Артикул
PMDXB600UNELZ
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
51 ns, 51 ns
Rise Time:
9.2 ns, 9.2 ns
Вес, г
0.01
Цена по запросу
(от 39,57 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET Nexperia PMDXB600UNEL 20V Dual N-Channel Trench MOSFET - это полевой транзистор с улучшенным режимом работы (FET), размещенный в сверxмалом корпусе из пластика для поверxностного монтажа. PMDXB600UNEL отличается низким током утечки и открытой дренажной прокладкой, обеспечивающей отличную теплопроводность. Типичными областями применения являются реле, высокоскоростные линейные устройства, переключатели нагрузки на стороне низкого напряжения и коммутационные сxемы.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:51 ns, 51 ns
Rise Time:9.2 ns, 9.2 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-1010-6
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934070432147
Transistor Type:2 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:700 pC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:5000
Pd - Power Dissipation:380 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:5.6 ns, 5.6 ns
Typical Turn-Off Delay Time:19 ns, 19 ns
Id - Continuous Drain Current:600 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:1 S, 1 S
Rds On - Drain-Source Resistance:470 mOhms, 470 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:450 mV

Техническая документация