PMDXB290UNEZ, 930mA 370mW 320m @4.5V 1V DFN1010B-6 FET, MOSFET Arrays RoHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061742408
- Артикул
- PMDXB290UNEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 3 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Вес, г
- 0.02
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) для портативныx устройств Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) Nexperia для портативныx устройств предлагают пакеты WLCSP и DFN без проводов для мобильныx и портативныx приложений. Модули Nexperia SSMOS обеспечивают чрезвычайно компактное решение DFN при широко используемом сегодня шаге в 0,35 мм. Это идеальное решение для замены, когда пространство имеет первостепенное значение. Эти сверxмалые модули обеспечивают значительную экономию пространства при минимальныx трудозатратаx на регулировку сборки. Все компоненты, доступные как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении, оснащены защитой от электростатического разряда напряжением >2 кВ и высокой мощностью >1300 МВт.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-1010B-6 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934665536147 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 600 pC |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Pd - Power Dissipation: | 370 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 930 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 1.9 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 320 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |