Моя заявка (0)

PMDXB1200UPEZ, 30V 410mA 1.2 @4.5V,410mA 285mW 450mV 2 P-Channel SOT1216 Single FETs, MOSFETs ROHS

PMDXB1200UPEZ, 30V 410mA 1.2 @4.5V,410mA 285mW 450mV 2 P-Channel SOT1216 Single FETs, MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8050818887
Артикул
PMDXB1200UPEZ
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
PPAP
No
SVHC
Yes
HTSUS
8541.21.0095
Цена по запросу
(от 71,39 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 30V Dual P-Channel Trench МОП-транзистор

Технические параметры

ECCNEAR99
PPAPNo
SVHCYes
HTSUS8541.21.0095
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
FET Type2 P-Channel (Dual)
MountingSurface Mount
Pin Count6
AutomotiveNo
Вес, г0.03
FET FeatureStandard
PCB changed6
Part StatusActive
Power - Max285mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
REACH StatusREACH Unaffected
Mounting TypeSurface Mount
Package Width1
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Package Length1.1
Supplier PackageDFN-B EP
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250ВµA
Base Product NumberPMDXB1200 ->
ТехнологияSi
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Supplier Device PackageDFN1010B-6
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Категория продуктаМОП-транзистор
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C410mA
Размер фабричной упаковки5000

Техническая документация