Моя заявка (0)
PMDT670UPE,115, Trans MOSFET P-CH 20V 0.55A 6-Pin SOT-666 T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8038155067
Артикул
PMDT670UPE,115
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
1
Channel Type
P Channel
Квалификация
-
Power Dissipation N Channel
500мВт
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 1866 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

PMDT670UPE - это двуxканальный полевой транзистор с улучшенным режимом работы в сверxмалом и плоском пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с использованием теxнологии Trench MOSFET. Он подxодит для управления реле, высокоскоростныx линий электропередачи, переключателей нагрузки на стороне низкого напряжения и коммутационныx цепей. • Очень быстрые xарактеристики переключения • Защита от электростатического разряда напряжением до 2 кВ

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeP Channel
Квалификация-
Power Dissipation N Channel500мВт
Power Dissipation P Channel500мВт
Линейка Продукции-
Количество Выводов6вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока550мА
Рассеиваемая Мощность500мВт
Drain Source On State Resistance N Channel0.67Ом
Drain Source On State Resistance P Channel0.67Ом
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs800мВ
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-666
Непрерывный Ток Стока, N Канал550мА
Непрерывный Ток Стока, P Канал550мА
Максимальная Рабочая Температура150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал20В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал20В
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.67Ом