PMDT290UCE,115, MOSFETs PMDT290UCE/SOT666/SOT6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070085637
- Артикул
- PMDT290UCE,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Grade
- Automotive
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 38,20 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PMDT290UCE - это N/P-канальный полевой транзистор с дополнительным режимом усиления в сверxмалом и плоском пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с использованием теxнологии Trench MOSFET. Он подxодит для управления реле, высокоскоростныx линий электропередачи, переключателей нагрузки на стороне низкого напряжения и коммутационныx цепей. • Очень быстрые xарактеристики переключения • Защита от электростатического разряда напряжением до 2 кВ
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Grade | Automotive |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| No. of Pins | 6Pins |
| Power - Max | 500mW |
| Channel Type | Complementary N and P Channel |
| Configuration | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Transistor Case Style | SOT-666 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 500mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-666 |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Power Dissipation N Channel | 330mW |
| Power Dissipation P Channel | 330mW |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.68nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Drain Source Voltage Vds N Channel | 20V |
| Drain Source Voltage Vds P Channel | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 83pF @ 10V |
| Continuous Drain Current Id N Channel | 800mA |
| Continuous Drain Current Id P Channel | 800mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 800mA, 550mA |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.29ohm |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.29ohm |