PMDPB95XNE2X, Trans MOSFET N-CH 30V 2.7A 6-Pin HUSON EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043680201
- Артикул
- PMDPB95XNE2X
- Бренд
- NXP Semiconductor
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 49 ₽)
Минимальный заказ: 1396 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PMDPB95XNE2/HUSON6/REEL 7" Q1/
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 2.1(Max) |
| Package Length | 2.1(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | HUSON EP |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TMOS |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 8 |
| Typical Rise Time (ns) | 10 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1165 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 2.9@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 1.25 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 2.7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 258@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 99@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF) | 23@15V |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |