MOSFET транзистор PMDPB55XP,115 Nexperia
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038690326
- Артикул
- PMDPB55XP,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 74 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-контактный HUSON EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.45 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Dual |
| Package Width | 2.1(Max) |
| Package Length | 2.1(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | HUSON EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | MOSFET |
| Standard Package Name | SON |
| Typical Fall Time (ns) | 68 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1170 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 16.5@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 135 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 0.9 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 785@10V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 70@4.5V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.49 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.055 Ом |