PMDPB30XNAX, MOSFETs 20 V, dual N-channel Trench MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8050033470
- Артикул
- PMDPB30XNAX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 640mW(Ta), 11W(Tc)
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Массив Моп-транзисторов 20 В 4,5 А (Ta), 12 А (Tc) 640 МВт (Ta), 11 Вт (Tc) для поверxностного монтажа 6-HUSON (2x2)
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 640mW(Ta), 11W(Tc) |
| Configuration | 2 N-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | 6-UFDFN Exposed Pad |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 4.5A, 4.5V |
| Особенности | полевая сборка |
| Supplier Device Package | 6-HUSON(2x2) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 619pF @ 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.5A(Ta), 12A(Tc) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |