Моя заявка (0)
PMCM4401VPEZ, Транзистор: P-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014888153
Артикул
PMCM4401VPEZ
Бренд
Nexperia B.V.
Type
1PCSPChannel
Вес, г
0.1
Структура
MOSFET
Технология
Si
Цена по запросу
(от 27,74 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 12V P-Channel Trench МОП-транзистор

Технические параметры

Type1PCSPChannel
Вес, г0.1
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада16.5 ns
Power Dissipation (Pd)400mW;12.5W
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10nC@4.5V
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокWLCSP-4
Input Capacitance (Ciss@Vds)415pF@6V
Continuous Drain Current (Id)4.9A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Qg - заряд затвора10 nC
Время нарастания24.7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)165pF@6V
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности12.5 W
Id - непрерывный ток утечки4.9 A
Крутизна характеристики, S-
Размер фабричной упаковки9000
Vgs - напряжение затвор-исток8 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток55 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток12 V
Пороговое напряжение на затворе900mV@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения25.1 ns
Типичное время задержки при включении4.8 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток900 mV
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В12
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.13.6 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.3
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±8В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)55mΩ@4.5V, 3A

Техническая документация