Моя заявка (0)

PMBTA13,215, Darlington Transistor, NPN, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pins

PMBTA13,215, Darlington Transistor, NPN, 30 V, 250 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pins

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8976303524
Артикул
PMBTA13,215
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.27
Subcategory:
Transistors
Корпус
SOT-23(TO-236)
Цена по запросу
(от 47 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

10000 при 5 В, 100 мА 30 В NPN 500 мА 250 МВт SOT-23 Транзисторы Дарлингтона ROHS

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.27
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23(TO-236)
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:933816520215
Transistor TypeNPN
Product Category:Darlington Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)500mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)250mW
Pd - Power Dissipation:250 mW
DC Current Gain hFE Max:5000
Transition frequency (fT)125MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:10 V
DC current gain (hFE@Vce,Ic)10000@5V, 100mA
Maximum Operating Frequency:125 MHz
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:5000
Collector-emitter voltage (Vceo)30V
Maximum Collector Cut-off Current:100 nA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@100mA, 100uA
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В30

Техническая документация