Моя заявка (0)

PMBTA13,215, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 500мА, 250мВт

PMBTA13,215, Транзистор NPN, биполярный, Дарлингтон, 30В, 500мА, 250мВт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070054438
Артикул
PMBTA13,215
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
0.1
Subcategory:
Transistors
Manufacturer:
Nexperia
Цена по запросу
(от 46 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

10000 при 5 В, 100 мА 30 В NPN 500 мА 250 МВт SOT-23 Транзисторы Дарлингтона ROHS

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г0.1
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:SOT-23-3
Product Type:Darlington Transistors
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:933816520215
Transistor TypeNPN
Product Category:Darlington Transistors
Структураnpn
Transistor Polarity:NPN
Operating Temperature-
Collector Current (Ic)500mA
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)250mW
Pd - Power Dissipation:250 mW
DC Current Gain hFE Max:5000
Transition frequency (fT)125MHz
Emitter- Base Voltage VEBO:10 V
DC current gain (hFE@Vce,Ic)10000@5V, 100mA
Maximum Operating Frequency:125 MHz
Collector- Base Voltage VCBO:30 V
Continuous Collector Current:500 mA
Maximum DC Collector Current:500 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
DC Collector/Base Gain hFE Min:5000
Collector-emitter voltage (Vceo)30V
Maximum Collector Cut-off Current:100 nA
Collector cut-off current (Icbo@Vcb)100nA
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-emitter saturation voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.5V@100mA, 100uA

Техническая документация