Моя заявка (0)
PMBT6429,215, Транзистор: NPN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073214071
Артикул
PMBT6429,215
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 8,30 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS SW TAPE-7

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г0.1
Длина3 mm
Power - Max250mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeSOT-23
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.4 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor TypeNPN
Power Dissipation250мВт
Base Product NumberPMBT6429 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition700MHz
DC Current Gain hFE Min500hFE
Minimum DC Current Gain500
Supplier Device PackageTO-236AB
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation250 mW
Maximum Operating Frequency100 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-23-3
Continuous Collector Current100мА
Maximum DC Collector Current100 mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector Emitter Voltage Max45В
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector (Ic) (Max)100mA
Maximum Collector Base Voltage55 V
Current - Collector Cutoff (Max)10nA (ICBO)
DC Усиление Тока hFE500hFE
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage45 V
Частота Перехода ft700МГц
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce500 @ 100ВµA, 5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)45V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности250 mW
Другие названия товара №PMBT6429 T/R
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-236AB
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)55 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.45 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.1 A
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.500 at 0.1 mA at 5 V
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)500 at 0.1 mA at 5 V, 500 at 1 mA at 5 V, 500 at 1
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)700 MHz

Техническая документация