PMBF170,215, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60В, 0,3А, 830мВт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024654227
- Артикул
- PMBF170,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.21.0095
- Width
- 1.4mm
- Series
- TrenchMOSв„ў ->
Цена по запросу
(от 7,02 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор MOSFET TO236
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| Width | 1.4mm |
| Series | TrenchMOSв„ў -> |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.05 |
| Длина | 3 mm |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Высота | 1 mm |
| Ширина | 1.4 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Продукт | MOSFET Small Signal |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Base Product Number | PMBF170 -> |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Технология | Si |
| Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 830mW (Tc) |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 830 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 2V @ 1mA |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 300 mA |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5О© @ 500mA,10V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 830mW |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 40pF @ 10V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 300mA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 300mA (Ta) |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 830 mW |
| Другие названия товара № | 933966340215 |
| Id - непрерывный ток утечки | 300 mA |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 100 mS |