PJW4P06A_R2_00001, Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -4A; Idm: -16A; 3.1W; SOT223
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8031393836
- Артикул
- PJW4P06A_R2_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Case
- SOT223
- Mounting
- SMD
- Вес, г
- 0.1
- Gate charge
- 10nC
Цена по запросу
(от 56,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT223 |
| Mounting | SMD |
| Вес, г | 0.1 |
| Gate charge | 10nC |
| Manufacturer | PanJit Semiconductor |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | SOT223 |
| Drain current | -4A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 3.1W |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 0.13Ω |
| Drain-source voltage | -60V |
| Pulsed drain current | -16A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |