Моя заявка (0)

PJT7800_R1_00001, 20V 1A 150mOhm@4.5V,1A 350mW 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs

PJT7800_R1_00001, 20V 1A 150mOhm@4.5V,1A 350mW 2 N-Channel SOT-363 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8026310943
Артикул
PJT7800_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
25.8 ns
Вес, г
0.03
Цена по запросу
(от 19,38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:32 ns
Rise Time:25.8 ns
Вес, г0.03
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусSOT-363
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:SOT-363-6
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.6 nC
Структура2 N-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
Power Dissipation (Pd)350mW
Особенности-
Pd - Power Dissipation:350 mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)1.6nC@4.5V
Typical Turn-On Delay Time:5.8 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)92pF@10V
Typical Turn-Off Delay Time:42 ns
Continuous Drain Current (Id)1A
Id - Continuous Drain Current:1 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Пороговое напряжение на затворе1V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.35
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)150mΩ@4.5V, 1A

Техническая документация