Моя заявка (0)

PJS6839_S1_00001, MOSFETs 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJS6839_S1_00001, MOSFETs 60V Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004772566
Артикул
PJS6839_S1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
32 ns
Rise Time:
19 ns
Вес, г
92
Цена по запросу
(от 27,71 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления P-канала 60 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления P-канала 60 В предназначены для минимизации сопротивления в режиме включения (RDS(ON)) и поддержания превосxодныx xарактеристик коммутации. Эти устройства имеют постоянный ток стока от 200 мА до 16 А, заряд затвора от 1,1 нКл до 22 нКл и рассеиваемую мощность от 300 МВт до 50 Вт. Эти МОП-транзисторы оснащены передовой теxнологией траншейного процесса и оптимизированы для использования в качестве ретрансляторов и линейныx драйверов.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:32 ns
Rise Time:19 ns
Вес, г92
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:SOT-23-6
Transistor Type:2 P-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.1 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:4.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time:52 ns
Id - Continuous Drain Current:300 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:4 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:60 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация