PJS6601_S1_00001, MOSFETs 20V Complementary Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004772565
- Артикул
- PJS6601_S1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Fall Time:
- 10 ns, 45 ns
- Rise Time:
- 47 ns, 27 ns
- Вес, г
- 0.01
Цена по запросу
(от 75,22 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Fall Time: | 10 ns, 45 ns |
| Rise Time: | 47 ns, 27 ns |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.6 nC, 5.4 nC |
| Структура | Enhancement |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 18 ns, 78 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.1 A, 3.1 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 56 mOhms, 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |