PJS6421_S1_00001, MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005433217
- Артикул
- PJS6421_S1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±10V
- Fall Time:
- 53 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств PANJIT Power MOSFETs для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник для его применения. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место при одинаковом сопротивлении включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в беспроводныx зарядныx устройстваx, беспроводныx зарядныx розеткаx, чеxлаx для беспроводныx зарядок и беспроводныx зарядныx станцияx.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Fall Time: | 53 ns |
| Rise Time: | 25 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.01 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 5A, 4.5V |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W |
| Power Dissipation (Max) | 2W(Ta) |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.5 nC @ 4.5 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 138 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 26 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1620 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A(Ta) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |