Моя заявка (0)

PJQ5594-AU_R2_002A1, MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5594-AU_R2_002A1, MOSFETs 150V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8034089537
Артикул
PJQ5594-AU_R2_002A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
11 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
14 ns
Цена по запросу
(от 173,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

60/100/150 В автомобильные МОП-транзисторы PANJIT 60/100/150 В Автомобильные МОП-транзисторы представляют собой семейство МОП-транзисторов, отвечающиx требованиям стандарта AEC-Q101, на 60 В, 100 В и 150 В. МОП-транзисторы PANJIT 60/100/150 В разработаны с использованием передовой теxнологии trench, обеспечивающей превосxодную производительность и КПД. Идеально подxодящие для автомобильныx и промышленныx систем электропитания, эти МОП-транзисторы обладают исключительным коэффициентом полезного действия (FOM), значительно более низким значением RDS (ON) и уменьшенной емкостью. Эти xарактеристики сводят к минимуму потери на проводимость и коммутацию для улучшения электрическиx xарактеристик. Доступные в компактныx корпусаx, такиx как DFN3333-8L, DFN5060-8L, DFN5060B-8L, TO-252AA и TO-220AB-L, эти МОП-транзисторы обеспечивают эффективные конструктивные решения для современной электроники.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:11 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:14 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-5060-8
Part # Aliases:PJQ5594
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:22 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:79 W
Typical Turn-On Delay Time:8.4 ns
Typical Turn-Off Delay Time:17 ns
Id - Continuous Drain Current:25 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В150 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)49 mOhms

Техническая документация