Моя заявка (0)

PJQ5540V-AU_R2_002A1, MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ5540V-AU_R2_002A1, MOSFETs 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025027139
Артикул
PJQ5540V-AU_R2_002A1
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
17 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
34 ns
Цена по запросу
(от 220,44 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В МОП-транзисторы PANJIT с режимом усиления 40 В - это низковольтные МОП-транзисторы с сопротивлением при включении менее 1 Ом. Эти низковольтные МОП-транзисторы соответствуют стандарту AEC-Q101, который обычно требуется для устройств автомобильного класса. МОП-транзисторы с режимом усиления 40 В не содержат свинца и соответствуют стандарту ЕС RoHS 2.0. Типичные области применения - это системы с низким энергопотреблением, такие как ноутбуки, материнские платы для ПК, планшеты и другие портативные потребительские товары.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:17 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:34 ns
Вес, г0.09
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:DFN-5060X-8
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:63 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:3000
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:3.3 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:174 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:2.1 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация