PJQ5530_R2_00201, MOSFETs 30V N-Channel (LL) SGT MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8034090364
- Артикул
- PJQ5530_R2_00201
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Fall Time:
- 16 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 70,19 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PJQx 30 В с N-канальным режимом усиления. МОП-транзисторы PANJIT PJQx 30 В с N-канальным режимом усиления разработаны с использованием вентильного привода логического уровня в корпусаx DFN5060X-8L и DFN3333-8L. Эти МОП−транзисторы отличаются низким сопротивлением при включении (RDS(on)), отличным коэффициентом полезного действия (FOM) и напряжением затвор-исток ±20 в. N-канальные МОП-транзисторы PJQx 30V соответствуют стандарту AEC-Q101 и не содержат свинца в соответствии со стандартами ЕС RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для применения в автомобилестроении.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Fall Time: | 16 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | DFN-5060X-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | PJQ5530 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | Advanced SGT Technology |
| Pd - Power Dissipation: | 27.8 W |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 49 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.3 mOhms |