PJQ5431E-AU_R2_006A1, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025314911
- Артикул
- PJQ5431E-AU_R2_006A1
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Fall Time:
- 31 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 15 ns
Цена по запросу
(от 132,14 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Fall Time: | 31 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 15 ns |
| Вес, г | 0.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | DFN-5060-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 68 nC |
| Структура | P-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Pd - Power Dissipation: | 75 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 86 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.4 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |