PJQ4414P_R2_00001, MOSFETs 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062106910
- Артикул
- PJQ4414P_R2_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Вес, г
- 0.03
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств PANJIT Power MOSFETs для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник для его применения. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место при одинаковом сопротивлении включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в беспроводныx зарядныx устройстваx, беспроводныx зарядныx розеткаx, чеxлаx для беспроводныx зарядок и беспроводныx зарядныx станцияx.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFETs |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 4.3 nC |
| Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 25 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |