PJQ2407_R1_00001, P-Channel 30 V 8.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount DFN2020B-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8063733877
- Артикул
- PJQ2407_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Series:
- NFET-30FIMP
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощные МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств Мощные МОП-транзисторы PANJIT для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник, в котором они используются. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место и обеспечивает одинаковое сопротивление включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для беспроводныx зарядныx устройств, беспроводныx зарядныx розеток, беспроводныx зарядныx чеxлов и беспроводныx зарядныx станций.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Series: | NFET-30FIMP |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 11 nC |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 20 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |