Моя заявка (0)

PJQ2405_R1_00001, MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJQ2405_R1_00001, MOSFETs 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018734803
Артикул
PJQ2405_R1_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
FET Type
P-Channel
Vgs (Max)
±8V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 47,33 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

P-канал 20 В 7,2 А (Ta) 2,8 Вт (Ta) для поверxностного монтажа DFN2020B-6

Технические параметры

Brand:Panjit
FET TypeP-Channel
Vgs (Max)±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.02
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Manufacturer:Panjit
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFETs
Package / Case6-WDFN Exposed Pad
Product Category:MOSFETs
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 250µA
СтруктураP-Channel
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Factory Pack Quantity:3000
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 7.2A, 4.5V
ОсобенностиEnhancement Mode
Power Dissipation (Max)2.8W(Ta)
Supplier Device PackageDFN2020B-6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1785 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.2A(Ta)
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация