Моя заявка (0)
PJMP390N65EC_T0_00001, MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018731468
Артикул
PJMP390N65EC_T0_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Product:
MOSFETs
Вес, г
3
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 410 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Super Junction на 650 В N-канальные МОП-транзисторы Panjit на 650 В имеют низкое значение RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F. МОП-транзисторы напряжением 650 В поддерживают RDS (ON) 280 Мом, 380 Мом, 600 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,7 А, 7,3 А, 10,6 А или 13,8 А. МОП-транзисторы Panjit 650V N-Ch Super Junction, прошедшие 100-процентное тестирование avalanche и Rg, отличаются простотой использования.

Технические параметры

Brand:Panjit
Product:MOSFETs
Вес, г3
Technology:Si
Subcategory:Transistors
КорпусSOT-23
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенности-
Pd - Power Dissipation:87.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:10 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:390 Ohms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация