PJMP210N65EC_T0_00601, MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018734535
- Артикул
- PJMP210N65EC_T0_00601
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Fall Time:
- 61 ns
Цена по запросу
(от 233,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Super Junction на 650 В N-канальные МОП-транзисторы Panjit на 650 В имеют низкое значение RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F. МОП-транзисторы напряжением 650 В поддерживают RDS (ON) 280 Мом, 380 Мом, 600 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,7 А, 7,3 А, 10,6 А или 13,8 А. МОП-транзисторы Panjit 650V N-Ch Super Junction, прошедшие 100-процентное тестирование avalanche и Rg, отличаются простотой использования.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Fall Time: | 61 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 65 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFETs |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 34 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 50 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 9.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 150 W |
| Power Dissipation (Max) | 150W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220AB-L |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 30 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 111 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 700 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 19 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 210 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1412 pF @ 400 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 390мОм |