PJMF990N65EC_T0_00001, MOSFETs 22V,ESD Protection,SOT-23,UNI
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018639893
- Артикул
- PJMF990N65EC_T0_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Product:
- MOSFETs
- Вес, г
- 2
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 250 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Super Junction на 650 В N-канальные МОП-транзисторы Panjit на 650 В имеют низкое значение RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F. МОП-транзисторы напряжением 650 В поддерживают RDS (ON) 280 Мом, 380 Мом, 600 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,7 А, 7,3 А, 10,6 А или 13,8 А. МОП-транзисторы Panjit 650V N-Ch Super Junction, прошедшие 100-процентное тестирование avalanche и Rg, отличаются простотой использования.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Product: | MOSFETs |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | SOT-23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 9.7 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 22.5 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.7 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 990 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 22 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |