PJMF580N60E1_T0_00201, MOSFETs 600V 580mohm Super Junction Easy versio
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018679891
- Артикул
- PJMF580N60E1_T0_00201
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Packaging:
- Reel
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Channel Mode:
- Enhancement
Цена по запросу
(от 136,25 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Packaging: | Reel |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 28 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 580 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 580мОм |