Моя заявка (0)

PJMF190N60E1_T0_00201, MOSFETs 600V 190mohm Super Junction Easy versio

PJMF190N60E1_T0_00201, MOSFETs 600V 190mohm Super Junction Easy versio

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018700820
Артикул
PJMF190N60E1_T0_00201
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Вес, г
1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 372,04 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

600-вольтовые N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом PANJIT 600-вольтовые N-канальные МОП-транзисторы с суперпереxодом PANJIT имеют низкий уровень RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F или TO-247AD-3LD. МОП-транзисторы напряжением 600 В поддерживают RDS (ON) на уровняx 74 Мом, 190 Мом, 280 Мом, 360 Мом, 580 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,4 А, 8А, 11А, 13,8 А, 8А, 20А или 53А. МОП-транзисторы PANJIT 600V N-Ch Super Junction, прошедшие 100%-ную проверку avalanche и Rg, отличаются простотой использования.

Технические параметры

Brand:Panjit
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:Through Hole
Part # Aliases:PJMF190N60E1_T0_00001
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:40 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:2000
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:38 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:20 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:190 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)190мОм

Техническая документация