Моя заявка (0)

PJMB390N65EC_R2_00601, MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

PJMB390N65EC_R2_00601, MOSFETs 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8018662640
Артикул
PJMB390N65EC_R2_00601
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
42 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
50 ns
Цена по запросу
(от 243 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Super Junction на 650 В N-канальные МОП-транзисторы Panjit на 650 В имеют низкое значение RDS (при включении) и высокую скорость переключения в корпусе ITO-220AB-F. МОП-транзисторы напряжением 650 В поддерживают RDS (ON) 280 Мом, 380 Мом, 600 Мом или 900 Мом. Кроме того, МОП-транзисторы обеспечивают ток 4,7 А, 7,3 А, 10,6 А или 13,8 А. МОП-транзисторы Panjit 650V N-Ch Super Junction, прошедшие 100-процентное тестирование avalanche и Rg, отличаются простотой использования.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:42 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:50 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:TO-263-3
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:19 nC
СтруктураMOSFET
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:87.5 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:30 ns
Typical Turn-Off Delay Time:87 ns
Id - Continuous Drain Current:10 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:390 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)390мОм

Техническая документация