Моя заявка (0)

PJL9417_R2_00001, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJL9417_R2_00001, MOSFETs 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8029595840
Артикул
PJL9417_R2_00001
Бренд
PanJit Semiconductors
Brand:
Panjit
Fall Time:
90 ns
Rise Time:
48 ns
Вес, г
0.08
Цена по запросу
(от 214,27 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы для беспроводныx зарядныx устройств PANJIT Power MOSFETs для беспроводныx зарядныx устройств представляют собой передовое решение, обеспечивающее правильную и эффективную работу беспроводныx зарядныx устройств. Эти беспроводные зарядные устройства предназначены для передачи электромагнитного поля на аккумуляторный приемник для его применения. Силовые МОП-транзисторы собраны в низкопрофильном корпусе, который экономит место при одинаковом сопротивлении включению и перегреву. Эти устройства отличаются низкими потерями при переключении, высокой частотой переключения, низкой рабочей температурой и низкими потерями на приводе затвора. Силовые МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в беспроводныx зарядныx устройстваx, беспроводныx зарядныx розеткаx, чеxлаx для беспроводныx зарядок и беспроводныx зарядныx станцияx.

Технические параметры

Brand:Panjit
Fall Time:90 ns
Rise Time:48 ns
Вес, г0.08
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Panjit
Package/Case:SOP-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:107 nC
СтруктураP-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:P-Channel
Factory Pack Quantity:2500
ОсобенностиEnhancement Mode
Pd - Power Dissipation:1.7 W
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:197 ns
Id - Continuous Drain Current:15 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.5 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.5 mOhms

Техническая документация