PJE8438_R1_00001, MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018646218
- Артикул
- PJE8438_R1_00001
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 20 ns
- Вес, г
- 2.3
Цена по запросу
(от 18,95 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 2.3 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-523-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 950 pC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Особенности | интеллектуальный ключ с защитой |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 2.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 360 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 50 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 0.8…1.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |